800G DR8 TFLN/SiN Tx-PIC

PN：CDD-O31D8-BC0

产品特征：

▸ 氮化硅和薄膜铌酸锂异质集成技术

▸ 单通道支持53.125GBaud 数据传输速率

▸ 片上损耗小，单路 CW DFB激光器支持1分4或1分8通道，片上总损耗典型值分别为13.7dB或16.7dB

▸ 工作波长范围： 1304.5nm 到 1317.5nm

▸ 调制器 3dB 带宽＞40GHz，Vpi ＜ 3.0V

▸ 输入和输出光学耦合损耗均小于 1.5dB

应用场景：

▸ 800G DR8

1.6T 2*FR4 TFLN/SiN Tx-PIC

PN：CDD-XCWF8-BC0

产品特征：

▸ 氮化硅和薄膜铌酸锂异质集成技术

▸ 单通道支持106.25GBaud 数据传输速率

▸ 调制器 3dB 带宽＞67GHz，Vpi ＜ 3.0V

▸ 集成CWDM4 MUXs，损耗＜1dB，光谱带宽＞13nm

▸ 支持4个激光器并行8通道

▸ 集成热调器以及BPD（平衡探测器），用于调制器工作点校正和功率监测

应用场景：

▸ 1.6T 2*FR4

800G 2*FR4 TFLN/SiN Tx-PIC

PN：CDD-OCWF8-BC0

产品特征：

▸ 氮化硅和薄膜铌酸锂异质集成技术

▸ 调制器高线性度

▸ 单通道支持53.125GBaud传输速率

▸ 调制器 3dB 带宽＞40GHz，Vpi ＜ 3.0V

▸ 集成CWDM4 MUXs，损耗＜1dB，光谱带宽＞13nm

应用场景：

▸ 800G 2*FR4

800G DR4 TFLN/SiN Tx-PIC

PN：CDD-O31D4-BC0

产品特征：

▸ 氮化硅和薄膜铌酸锂异质集成技术

▸ 单通道支持106.25GBaud 数据传输速率

▸ 片上损耗小，片上总损耗典型值为13.7dB，单路 CW DFB激光器支持1分4通道

▸ 调制器 3dB 带宽＞67GHz，Vpi ＜ 3.0V

▸ 输入和输出光学耦合损耗均小于 1.5dB

应用场景：

▸ 800G DR4

400G DR4 TFLN/SiN Tx-PIC

PN：CDD-Q31D4-BC0

产品特征：

▸ 氮化硅和薄膜铌酸锂异质集成技术

▸ 调制器高线性度

▸ 片上损耗小，单路 CW DFB激光器支持1分4通道

▸ 工作波长范围： 1304.5nm 到 1317.5nm

▸ 调制器 3dB 带宽＞40GHz，Vpi ＜ 3.0V

▸ 输入和输出光学耦合损耗均小于 1.5dB

应用场景：

▸ 400G DR4

400G FR4 TFLN/SiN Tx-PIC

PN：CDD-QCWF4-BC0

产品特征：

▸ 氮化硅和薄膜铌酸锂异质集成技术

▸ 调制器高线性度

▸ 调制器 3dB 带宽＞40GHz，Vpi ＜ 3.0V

▸ 片上集成CWDM4 波长复用器

▸ 集成热调器以及BPD（平衡探测器），用于调制器工作点校正和功率监测

应用场景：

▸ 400G FR4